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LR-ZB250AN國產自主研發激光傳感器基恩士替代

  • 時間:2024-03-12 17:45:31
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凱(kai)基特作為(wei)國(guo)產(chan)(chan)激光(guang)(guang)類傳感(gan)器(qi)(qi)的研(yan)發生(sheng)產(chan)(chan)廠家,目前在國(guo)產(chan)(chan)化要求(qiu)下已經取(qu)得了顯著(zhu)的進步(bu),未來隨著(zhu)技術的不斷創(chuang)新和(he)(he)應用需求(qiu)的不斷提(ti)高,國(guo)內(nei)激光(guang)(guang)傳感(gan)器(qi)(qi)廠商還(huan)將繼續加(jia)大(da)研(yan)發投入(ru)和(he)(he)生(sheng)產(chan)(chan)投入(ru),推動(dong)激光(guang)(guang)傳感(gan)器(qi)(qi)產(chan)(chan)業的進一步(bu)發展。

作為(wei)光(guang)學測距(ju)(ju)傳(chuan)感(gan)器的中國(guo)民營企業(ye),凱基特(te)激(ji)光(guang)測距(ju)(ju)傳(chuan)感(gan)器的發展(zhan)狀況呈(cheng)現出蓬勃發展(zhan)的態勢。隨著科技的不(bu)斷進步(bu)和應用(yong)需求(qiu)的不(bu)斷增(zeng)長,國(guo)內(nei)的光(guang)學測距(ju)(ju)傳(chuan)感(gan)器技術也(ye)在不(bu)斷提升(sheng)和完善。

一(yi)方(fang)面,國內的光學測(ce)距(ju)傳感器(qi)產品(pin)種(zhong)類(lei)越(yue)來(lai)越(yue)豐(feng)富,涵蓋(gai)了激光測(ce)距(ju)傳感器(qi)、紅外線測(ce)距(ju)傳感器(qi)、超聲(sheng)波測(ce)距(ju)傳感器(qi)等多(duo)種(zhong)類(lei)型。這些產品(pin)不僅具(ju)有(you)高(gao)精度、高(gao)可靠性(xing)、高(gao)穩定性(xing)等特點(dian),而且價格相(xiang)對較(jiao)低(di),具(ju)有(you)較(jiao)強(qiang)的市(shi)場競爭力。

另一方(fang)面,國內的(de)(de)光(guang)學測(ce)距(ju)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器應(ying)用(yong)領(ling)(ling)域也在不(bu)斷擴展(zhan)。除了傳(chuan)(chuan)(chuan)統(tong)的(de)(de)工業測(ce)量、機器人(ren)(ren)導航、無(wu)人(ren)(ren)駕駛等領(ling)(ling)域外,光(guang)學測(ce)距(ju)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器還廣(guang)泛應(ying)用(yong)于智能家居(ju)、安(an)防監(jian)控、醫(yi)療診斷等領(ling)(ling)域。這些領(ling)(ling)域的(de)(de)快速(su)發展(zhan)也為光(guang)學測(ce)距(ju)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器的(de)(de)發展(zhan)提(ti)供(gong)了廣(guang)闊的(de)(de)市場空(kong)間。

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高(gao)精度近距(ju)(ju)離測(ce)距(ju)(ju)儀(yi)

凱基特KJT-KELR-TP250激光位移傳感器采用三角法測量原理,利用線陣CMOS器件作為光學接收器件,具有測量精度高、測量時間短等特點,產品光路經過特殊的產品設計,成像質量穩定;具有補光技術,適用于工業現場應用。

供(gong)電電壓

Uv12V DC~24V DC±10%

殘余紋波

脈動(dong)P-P10%

消耗電(dian)流

60mA以下(電(dian)源電(dian)壓(ya)12VDC時)

≤40mA以下(xia)(電源電壓(ya)24V DC時)

直線(xian)性

±0.3%F.S

外殼材料

鑄鋁(lv)合金(AL)

有(you)機玻璃(PMMA)

連接類型

引線

顯示(shi)器

4位數碼管

2xLED

外殼防護等級

IP67

防護等級

III

(注(zhu)1):常規(gui)的(de)(de)測(ce)量條件如(ru)下:電源電壓(ya):24V DC、周(zhou)圍(wei)溫度:+20℃、反(fan)應時間: 10ms、測(ce)量中(zhong)(zhong)心(xin)距離的(de)(de)模(mo)擬輸出值(zhi)。 對象物體:白色(se)陶瓷(ci)。 (注(zhu)2):根(gen)據FDA規(gui)則的(de)(de)Laser Notice No.50的(de)(de)規(gui)定(ding)、并以(yi)FDA為基準。 (注(zhu)3): 該值(zhi)為測(ce)量中(zhong)(zhong)心(xin)距離上(shang)的(de)(de)值(zhi)。以(yi)中(zhong)(zhong)心(xin)光強度的(de)(de)1/e2 (約13.5%)定(ding)義(yi)這些值(zhi)。 如(ru)果定(ding)義(yi)區域外(wai)有光泄(xie)漏,并且檢(jian)測(ce)點(dian)周(zhou)圍(wei)有高(gao)于檢(jian)測(ce)點(dian)本身的(de)(de)強反(fan)射(she),檢(jian)測(ce)結果可(ke)能會受到影響。

性能


測(ce)量中心距離

400mm

測量(liang)范圍(wei)

±200mm

光束直徑

約φ500μm

重復精度

800μm(測量(liang)距離400mm-600mm)

受光元件

CMOS圖像傳感器

光(guang)源

紅色(se)半導體(ti)激(ji)光2級(ji)(JIS/IEC/GB)、Ⅱ級(ji)(FDA)(注2)

控制輸(shu)出(chu)

〈NPN輸出型〉
NPN開(kai)路集電極晶體管(guan)
流入電流:≤50mA
外加電壓:30VDC以下(控制輸出和0V之間)
剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
漏電流(liu):0.1mA以下

〈PNP輸出(chu)型(xing)〉
PNP開(kai)路集電極晶體管
源電流:≤50mA
外加電(dian)壓:30V DC以下(控制輸(shu)出和(he)+V之(zhi)間)
剩余(yu)電(dian)壓(ya):1.5V以下(流入(ru)電(dian)流50mA時)
漏電流:0.1mA以下

模(mo)擬輸出

模(mo)擬輸出·輸出范圍:0V~5V(正常時(shi));5.2V(報警時(shi)) 輸出阻抗:100Ω

輸出范圍: 4mA~20mA(正常時); 0mA(報警時)

動(dong)作輸出

負載阻抗:300Ω ;入光時ON/非(fei)入光時ON可切換

短路保護

自動復位式

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