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基恩士激光測距傳感器型號替代LR-ZH500CN

  • 時間:2024-03-12 17:40:24
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凱(kai)基特作為國(guo)(guo)(guo)產(chan)激(ji)(ji)光類傳感器的(de)研(yan)發(fa)生產(chan)廠家,目前在國(guo)(guo)(guo)產(chan)化要求(qiu)下(xia)已(yi)經取(qu)得了(le)顯著的(de)進(jin)步,未(wei)來隨著技術的(de)不(bu)斷(duan)創新和應用需求(qiu)的(de)不(bu)斷(duan)提高,國(guo)(guo)(guo)內激(ji)(ji)光傳感器廠商還將繼續加大研(yan)發(fa)投(tou)入和生產(chan)投(tou)入,推動激(ji)(ji)光傳感器產(chan)業的(de)進(jin)一步發(fa)展(zhan)。

作為光學測距傳(chuan)感(gan)(gan)器的中國(guo)民營企業(ye),凱基特激光測距傳(chuan)感(gan)(gan)器的發(fa)(fa)展狀況呈(cheng)現出蓬勃發(fa)(fa)展的態勢。隨著科技的不(bu)斷(duan)進(jin)步和應用需求的不(bu)斷(duan)增長,國(guo)內(nei)的光學測距傳(chuan)感(gan)(gan)器技術也在不(bu)斷(duan)提升(sheng)和完善。

一方(fang)面,國內的(de)光學測(ce)(ce)距傳感器產品(pin)種類越來越豐富,涵(han)蓋了(le)激光測(ce)(ce)距傳感器、紅外線測(ce)(ce)距傳感器、超聲波測(ce)(ce)距傳感器等(deng)多種類型(xing)。這些產品(pin)不僅具有高精度、高可靠性、高穩定性等(deng)特點(dian),而(er)且價(jia)格相對較低,具有較強的(de)市場競爭力(li)。

另一方(fang)面,國內(nei)的(de)光(guang)學測(ce)距傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)(qi)應(ying)用(yong)領(ling)域也在不(bu)斷擴展(zhan)(zhan)。除了傳(chuan)(chuan)統的(de)工(gong)業測(ce)量、機器(qi)(qi)人導(dao)航、無人駕駛等領(ling)域外,光(guang)學測(ce)距傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)(qi)還廣泛應(ying)用(yong)于智能家(jia)居、安防(fang)監控、醫療診斷等領(ling)域。這些領(ling)域的(de)快速發(fa)展(zhan)(zhan)也為光(guang)學測(ce)距傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)(qi)的(de)發(fa)展(zhan)(zhan)提供了廣闊的(de)市場空間。

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高精度(du)近(jin)距離(li)測距儀

凱基特KJT-KELR-TP10激光位移傳感器采用三角法測量原理,利用線陣CMOS器件作為光學接收器件,具有測量精度高、測量時間短等特點,產品光路經過特殊的產品設計,成像質量穩定;具有補光技術,適用于工業現場應用。

供電電壓

Uv12V DC~24V DC±10%

殘余紋波

脈動P-P10%

消耗電流(liu)

60mA以下(電源(yuan)電壓12VDC時(shi))

≤40mA以下(電源電壓24V DC時)

直線性

±0.3%F.S

外殼材料

鑄鋁合金(AL)

有機(ji)玻璃(PMMA)

連接類(lei)型

引線

顯(xian)示(shi)器

4位(wei)數碼管(guan)

2xLED

外殼防護等(deng)級

IP67

防護等級

III

(注1):常(chang)規的(de)(de)(de)測(ce)量條件(jian)如(ru)(ru)下(xia):電(dian)源電(dian)壓:24V DC、周圍溫(wen)度:+20℃、反應時間: 10ms、測(ce)量中(zhong)心(xin)距離的(de)(de)(de)模擬輸出值(zhi)。 對象物體:白色陶瓷。 (注2):根據FDA規則的(de)(de)(de)Laser Notice No.50的(de)(de)(de)規定、并(bing)以FDA為(wei)基準(zhun)。 (注3): 該值(zhi)為(wei)測(ce)量中(zhong)心(xin)距離上的(de)(de)(de)值(zhi)。以中(zhong)心(xin)光強度的(de)(de)(de)1/e2 (約13.5%)定義(yi)這些值(zhi)。 如(ru)(ru)果定義(yi)區域外(wai)有光泄漏,并(bing)且檢測(ce)點周圍有高于檢測(ce)點本身的(de)(de)(de)強反射,檢測(ce)結果可能會受到影(ying)響。

性能


測(ce)量中(zhong)心(xin)距離

400mm

測量范圍

±200mm

光束直(zhi)徑(jing)

約φ500μm

重復精度

800μm(測(ce)量(liang)距離400mm-600mm)

受光(guang)元件

CMOS圖像傳感(gan)器(qi)

光源

紅色(se)半導(dao)體激光2級(JIS/IEC/GB)、Ⅱ級(FDA)(注2)

控(kong)制輸(shu)出

〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體(ti)管
流入電流:≤50mA
外加電壓:30VDC以下(控制輸出和0V之間)
剩余電壓:1.5V以下(流(liu)入電流(liu)50mA時)
漏電流:0.1mA以下

〈PNP輸出型〉
PNP開(kai)路集電極晶體管(guan)
源電流:≤50mA
外加電壓:30V DC以下(xia)(控制輸(shu)出和+V之(zhi)間)
剩余電壓(ya):1.5V以下(流(liu)入電流(liu)50mA時)
漏電流:0.1mA以下

模擬輸出

模(mo)擬輸(shu)出·輸(shu)出范圍:0V~5V(正常時);5.2V(報警時) 輸(shu)出阻抗:100Ω

輸出范圍: 4mA~20mA(正(zheng)常時(shi)); 0mA(報警時(shi))

動作輸出(chu)

負載阻抗:300Ω ;入(ru)光(guang)時ON/非入(ru)光(guang)時ON可切換(huan)

短路保護

自(zi)動復位(wei)式

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